اخیرا پژوهشی در  این لینک در مورد آن انجام شده است. ولی من در طول تجربه های مختلف 20 ساله ام به این نکته رسیده ام که معنادار نشدن هر بخش از فیزیک برای خودمان و یادگیرندگان ممکن است بخش های یادگیری مرتبط با آن موضوع را دشوار کند ولی بخش های غیرمرتبط را می توان شوق انگیز یاد گرفت و از انرژی شوق انگیزی این بخش ها برای غلبه بر دشواری بخش های سخت به عنوان یک محمل یا کاتالیزگر استفاده کرد. مثلا اگر مفهوم شتاب را نمی دانیم بهتر است مفهوم قانون اول ترمودینامیک را خوب یاد بگیریم و از دانایی آن برای یادگیری کمک بگیریم.

با انجام این روند به تدریج حوزه ی مبهم گویا می شود و عامل زمان نقش مهمی در تکرار فرایند یادگیری دارد. هر چقدر از حوزه های مختلف حسی یادگیری دنبال شود بیشتر در ذهن می ماند. درگیر شدن انگشت مردم با صفحه ی تلفن همراه باعث شد تا نهضت تلگرام و بسیاری از شبکه های اجتماعی ظاهر شوند و اکنون با کمک حس لامسه می فهمیم ، با چشم می بینیم و با گوش خود زبان یکدیگر را یاد می گیریم

 رویکرد جهان در کنفرانس های آموزشی فیزیک توجه اکید بر روی قابلیت های مهارتی پایه توانایی ها و توجهات ذهنی دانش آموزان و دانشجویان است. آنها به دنبال مسابقات نیستند بلکه دنبال این هستند تا شهروندان کشورشان گیج و منگ نباشند و بتوانند نیازها و مهارتهای خود را در جهت نیازهای کشورشان همسو کنند. 

The theme of the 2015 Physics Education Research (PER) Conference was "Critical examination of laboratory-centered instruction and experimental research in physics education." The conference focused on exploring ways PER can investigate and support students' development around skills, abilities, and attitudes that foster success in experimental endeavors.

 معمولا فکر می کنیم چون کار با دستگاه ها و تجهیزات را با فرض اینکه بدانیم و به دیگران هم بگوییم فیزیک آموخته می شود. در صورتی که مراکزی در جهان وجود دارند و در قالب ژورنال های آموزشی تحقیقات و پژوهش های معلمان و محققان را در مورد روش آموزش دادن فیزیک بررسی می کنند. به تقلید از آنها ما هم در ایران چندین مجله ی رشد فیزیک و مانند آن داریم که البته اگر دروغ نگوییم به غیر از پژوهش های پایان نامه ای موجود در آنها بیشتر کارهای متداول این نشریات ترجمه است و هنوز نهضت ترجمه در ایران ادامه دارد و به مرحله ی از خود نویسی نرسیده ایم. 

این مراکز مدام با مجامع علمی از رشته های مختلف روان شناسی ، شناخت و فلسفه به بحث و گفتگو می پردازند و آخرین پروژ ه های خود را با هم کار می کنند و از آنجا که کار بیشتر آنها تیمی است موفق تر از ما در ایران هستند. ما هنوز در ایران در مورد این موضوع که آیا اجازه داریم در مورد روش های آموزش فیزیک فکر کنیم پرونده ای نگشوده ایم و روند 80 ساله ی کنکور را با قوت روزافزون پیش می بریم! 

Physics Education is the international centers for everyone involved with the teaching of physics in schools and colleges.Their  articles reflect the needs and interests of secondary school teachers, teacher trainers and those involved with courses up to introductory undergraduate level

فاصله ی اطمینان : وقتی یک اندازه گیری را در طبیعت یا آزمایشگاه انجام می دهیم ، نمونه های ما دایماً تغییر می کنند تا به شرایط جامعه ی آماری بزرگتر خود (طبیعت ) درآیند. در حقیقت این نتایج ما هستند که متناسب با حجم نمونه ها و روش های اندازه گیری تغییر می کنند. ما زورمان نمی رسد کل جامعه ی آماری را اندازه گیری کنیم به همین دلیل به اندازه گیری چند اندازه بسنده می کنیم. به همین دلیل مفهومی به نام بازه ی اندازه گیری یا فاصله ی اطمینان را مشخص کرده اند تا محاسبات در این محدوده طبیعی فرض شود. فرض کنید  کارخانه ای مقاومت الکتریکی برای مدارهای موبایل می سازد ، او نمی تواند تمام مقاومتهای خود را دانه به دانه بررسی کند و به ما بگوید که چه مشخصات الکتریکی – گرمایی دارند بلکه با مطالعه ی چند مقاومت از خط تولید ، اطلاعات (دیتا شیت) آنها را به صورت عدد ، منحنی یا فاصله ی اطمینان ارایه می نماید و شما مطمئن می شوید که فرمول ها و محاسبات و اطلاعات این قطعه با مثلا 95 درصد اطمینان در این محدوده درست عمل می کند. بیشتر یا کمتر از این فاصله ی اطمینان محل شک است و باید بررسی مجدد شود. فاصله ی اطمینان را بر روی یک منحنی کوه شکل نشان می دهند.

 اصول انتخاب قطعات مداریک تقویت کننده ترانزیستوری :

1. ابتدا ولتاژ منبع تغذیه را معلوم کنید.VCC=10 V
2. سهم ولتاژ هر بخش VRC,VCE,VE را در نظر بگیرید. معمولا VCE=0.5*VCC, VE=0.1*VCC,VRC=0.4*VCC :
3. مقدار مقاومت بار RL, مقاومت ایمیتر RE, و مقاومت کلکتور  RC,را مشخص نمایید. معمولا RC=4*RE :
4. همیشه در نظر داشته باشید که IE=VE/RE,IE=IC
5. از رابطه زیر برای یافتن ولتاژ ورودی بیس استفاده کنید:VB=0.6+VE =V2 و V1=VCC-V2
6. مقاومتRE ترانزیستور را ضربدر B بهره مستقیم آن نمایید تا مقاومت واقعی از نگاه بیس بدست آید.
7. مقاومت R2 را یک دهم تا صدم این مقدار در نظر بگیرید. R2=0.1*B*REیا R2=0.01*B*RE
8. از این رابطه مقدار R1 را بدست آورید:  R1=R2*V1/V2
9. برای خازن های کنارگذر ایمیتر از مقادیر زیر استفاده نمایید:(CRE=1/(0.2*3.14*f*RE (f حداقل فرکانس مدار است)
10. برای ایزوله کردن هر طبقه از سایر طبقات از یک خازن یک میکروفاراد با دوبرابر ولتاژ مدار کمک بگیرید.
11. مقاومت متغیر ایمیتر را از رابطه زیر بدست آورید: r'e=25mV/RE
12. مقدار متوسط بهره ولتاژ هر طبقه را از رابطه زیر بدست آورید: AV=RC/r'e البته این رابطه بسته به نوع آرایش تقویت کننده ها کمی متفاوت است.
13. جریان های I1,I2 مربوط به R1,R2  نباید از جریان ایمیتر بیشتر شوند.
14. در بخش هایی که با مقاومت های تقسیم ولتاژ موجه هستید سعی نمایید مقاومت متصل به R2 حداقل ده تا صد برابر بیشتر از R2 باشد تا یک دهم الی یک صدم جریان از آن کمتر بگذرد. مثلا ده برابر بودن مقاومت متصل به R2 نسبت به R2 ، حدود 7% افت ولتاژ بر روی R2 نسبت به حالتی که نباشد ایجاد می کند. در صورتی که اگر این مقاومت 100 برابر R2 باشد این مقدار افت ولتاژ به 1% خواهد رسید.
15. سعی نمایید مقدار مقاومت ورودی و خروجی هر مدار را از منظر جریان متناوب در نظر بگیرید تا ضمن تطبیق مقاومت ها از هدر رفتن توان در هر مداری جلوگیری شود.
16. همانطور که می دانید 0.6 ولت بین بیس و ایمیتر باعث روشن شدن ترانزیستور می شود. به طور متوسط 0.1 ولت تغییرات بر روی این ولتاژ حدود 10 درصد میزان جریان بیس را تغییر می دهد.
17. به ازای هر 60 میلی ولت تغییرات ولتاژ بیس ایمیتر، جریان کلکتور 10 درصد تغییر می کند.
18. ولتاژ بیس ایمیتر به ازای هر درجه سانتی گراد حدود 2 میلی ولت تغییر می کند.